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O RJP3065 é um transistor de efeito de campo com porta isolada (IGBT) de canal N, projetado para chaveamento de alta velocidade e controle de alta potência. Ele combina a facilidade de acionamento de um MOSFET com a baixa perda de condução de um transistor bipolar. É um componente eletrônico vital para o circuito de potência de diversos aparelhos elétricos, atuando como uma espécie de interruptor eletrônico rápido.
Tensão Coletor-Emissor : 300v
Corrente de Coletor : 40A
Tecnologia: Canal N, projetado para lidar com correntes elevadas com máxima eficiência
Encapsulamento: TO-220F
Caso o produto apresente alguma incompatibilidade ou problema e seja necessária a devolução, somente será aceita se o selo de garantia estiver totalmente intacto, sem violação, rasgos, remoção, tentativa de reaplicação ou qualquer sinal de adulteração. O procedimento só será aceito mediante a apresentação de identificação profissional do técnico responsável
