SKU: G5N150UF
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Descrição

Transistor IGBT G5N150UF – 1500V 5A Canal N Encapsulamento TO-3

Descrição do Produto

O G5N150UF é um transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de alta tensão, desenvolvido para aplicações de comutação de potência que exigem elevada tensão de bloqueio, boa velocidade de chaveamento e alta confiabilidade. Este componente combina as características de um transistor MOSFET, com alta impedância de entrada, e de um transistor bipolar, proporcionando boa capacidade de condução de corrente.

É amplamente utilizado em fontes chaveadas de alta tensão, inversores, equipamentos industriais e sistemas eletrônicos de potência. O componente é fabricado pela Fairchild/ON Semiconductor e possui tecnologia otimizada para redução de perdas durante a comutação.

Características Técnicas

Modelo: G5N150UF

Tipo: Transistor IGBT Canal N

Tecnologia: Insulated Gate Bipolar Transistor

Tensão Coletor-Emissor (VCES): 1500V

Corrente de Coletor: 5A

Corrente de pulso: conforme condições de operação do fabricante

Tensão Gate-Emissor (VGES): ±20V

Baixa perda de condução e chaveamento

Alta impedância de entrada

Alta velocidade de comutação

Temperatura de operação: -55°C a +150°C

Encapsulamento: TO-3 / TO-3PF (conforme versão)

Montagem: Through Hole (PTH)

Aplicações

Fontes chaveadas de alta tensão

Inversores de potência

Conversores DC/DC

Equipamentos industriais

Sistemas de energia

Controle de motores

Equipamentos eletrônicos de alta potência

Reparos e manutenção de placas eletrônicas

Compatibilidade

Compatível com equipamentos e circuitos que utilizam o transistor IGBT G5N150UF ou componentes equivalentes com as mesmas características elétricas e mecânicas.

Antes da substituição, recomenda-se verificar o código completo do componente original, encapsulamento, pinagem e condições do circuito, pois falhas em componentes associados podem causar a queima do novo IGBT.

Dimensões Aproximadas

Encapsulamento: TO-3 / TO-3PF

Comprimento: aproximadamente 39 mm

Largura: aproximadamente 26 mm

Altura: aproximadamente 8 a 10 mm

Quantidade de terminais: 2 terminais elétricos + carcaça metálica (coletor), conforme encapsulamento

Conteúdo da Embalagem

01 Transistor IGBT G5N150UF

Recomendações de Instalação

A instalação deve ser realizada utilizando equipamentos adequados e seguindo procedimentos de proteção contra descarga eletrostática (ESD). Recomenda-se utilizar dissipador de calor compatível, verificar o circuito de acionamento do gate e analisar componentes próximos antes da substituição.

Aviso Importante sobre Garantia e Devolução

Por se tratar de componente eletrônico sensível, não serão aceitas devoluções decorrentes de instalação incorreta, erro de diagnóstico, incompatibilidade, falhas de soldagem, ausência de dissipação térmica adequada, curto-circuito, sobretensão, acionamento incorreto do gate ou qualquer dano causado após a instalação.

Para análise de garantia ou devolução, o componente deverá ter sido instalado por técnico certificado ou assistência técnica especializada. Será obrigatória a apresentação de identificação profissional, laudo técnico, ordem de serviço ou documentação equivalente que comprove a correta instalação do produto.

Na ausência desta documentação, a solicitação de devolução ou garantia poderá ser recusada após análise técnica.

Certifique-se de que está adquirindo a peça correta para sua necessidade.