Transistor Igbt Rjp63F4A 630V 40A To220F

Transistor IGBT RJP63F4A indicado para circuitos de alta tensão e alta corrente, muito utilizado em fontes chaveadas, drivers, inversores, módulos automotivos e equipamentos de potência. Oferece excelente eficiência, baixa perda de comutação e operação confiável em cargas pesadas. O encapsulamento TO-220F proporciona isolamento térmico e montagem segura, sendo ideal para reposição profissional em aparelhos que utilizem o RJP63F4A.

Especificação

• Modelo: RJP63F4A

• Tipo: IGBT (Transistor Bipolar de Porta Isolada)

• Tensão Máxima (Vces): 630V

• Corrente Máxima: 40A

• Encapsulamento: TO-220F (isolado)

• Aplicação: Fontes chaveadas, inversores, módulos automotivos, acionamentos e circuitos de potência

• Origem: Componente original

Conteúdo da Embalagem

• 1x Transistor IGBT RJP63F4A ? TO-220F

Dimensões

(Dimensões aproximadas do encapsulamento TO-220F)

• Altura total: ~15 a 17 mm

• Largura: ~10 mm

• Espessura: ~4,5 mm

• Altura do corpo: ~9 mm

• Distância entre pinos: 2,54 mm (padrão)

Compare bem o código, conectores, pinagens, as fotos do produto do anúncio, para ver se realmente é o que necessita. Para desistir da compra, é necessário devolver o produto do mesmo jeito que recebeu, com lacres e selos de garantia

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